Si-PIN-Photodiode mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060nm) PDCC100-701

Unsere Si-PIN-Photodiode mit hoher Empfindlichkeit bietet ein hervorragendes Signal für anspruchsvolle Anwendungen. Sie zeichnet sich bei der UV-Detektion bei schwachem Licht von 320-1060 nm aus.
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Beschreibung des Produkts

Si PD mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060nm)
Typ No. Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge Lichtempfindlichkeit Dunkler Strom Übergangskapazität Anstiegszeit Größe der lichtempfindlichen Fläche Material der Fenster Paket
VR=10mV VR=0V VR=0V; RL=1kΩ
[nm] [A/W] [pA] [pF] [μs] [mm]
PDCT01-801 800 0,16@365nm

0,47@800nm

2 15 0.05 1.1×1.1 Borosilikat TO18/2PIN
PDCT07-601 5 60 0.13 2.6×2.6 Borosilikat TO5/2PIN
PDCT14-601 8 120 0.26 3.7×3.7 Borosilikat TO5/2PIN
PDCT16-601 10 150 0.33 4.0×4.0 Borosilikat TO5/2PIN
PDCT34-701 15 300 0.66 5.8×5.8 Borosilikat TO8/2PIN
PDCD07-601 0,14@365nm

0,54@800nm

5 60 0.13 2.6×2.6 Harz DIP
PDCD07-801 5 60 0.13 2.6×2.6 Harz DIP
PDCD10-801 8 90 0.2 3.2×3.2 Harz DIP
PDCD34-701 15 300 0.66 5.8×5.8 Harz DIP
PDCD100-301 25 800 1.76 10×10 Harz DIP
PDCC07-601 0,14@365nm

0,54@800nm

5 60 0.13 2.6×2.6 Harz COB
PDCC14-601 10 120 0.26 3.7×3.7 Harz COB
PDCC34-601 15 300 0.66 5.8×5.8 Harz COB
PDCC100-701 25 800 1.76 10×10 Harz COB

PDCC100-701-pic

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