Si-PIN-Photodiode mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (190-1100nm) PDCT06-F01

Erzielen Sie eine schnelle Signalerfassung mit unserer Si-PIN-Photodiode mit schneller Anstiegszeit. Optimiert für optische Kommunikation und Impulserkennung mit niedriger Kapazität und hoher Zuverlässigkeit. Nutzen Sie noch heute die Leistung einer schnellen Si-PIN-Photodiode.

Kategorien Si-PIN-Fotodioden, Verbesserte UV-Empfindlichkeit Tags Schneller Photodetektor, Schnelle Anstiegszeit Si-PIN-Photodiode, Hochgeschwindigkeits-Photodiode, Erkennung von Laserimpulsen, Optischer Kommunikationsdetektor, Si-PIN-Detektor, TO-Gehäuse PIN-Diode Marke: Bienen-Photon

Produktkategorie

Telefonische Unterstützung

0519-88288870

E-Mail-Unterstützung

info@photo-detector.com

Ausgewählte Produkte

NIR LED E850-25-001-L20

Weiterlesen

Beschreibung des Produkts

Si PD mit erhöhter UV-Empfindlichkeit - Serie F(190-1100nm)
Typ No.	Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge	Lichtempfindlichkeit	Dunkler Strom	Übergangskapazität	Anstiegszeit	Größe der lichtempfindlichen Fläche	Material der Fenster	Paket
Typ No.	Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge	Lichtempfindlichkeit	V_R=10mV	V_R=0V	V_R=0V;R_L=1kΩ	Größe der lichtempfindlichen Fläche	Material der Fenster	Paket
	[nm]	[A/W]	[pA]	[pF]	[μs]	[mm]
PDCT01-F01	1000	0,11@200nm 0,26@365nm 0,47@633nm 0,73@1000nm	8	15	0.03	1.0×1.0	Quarz	TO18/2PIN
PDCT06-F01			10	75	0.16	2.4×2.4	Quarz	TO5/2PIN
PDCT25-F01			20	350	0.77	5.0×5.0	Quarz	TO8/2PIN
PDCD100-F01			45	1000	2.2	10×10	Quarz	DIP

Si-PIN-Photodiode mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (190-1100nm) PDCT06-F01

Produktkategorie

Ausgewählte Produkte

NIR LED E850-25-001-L20

Beschreibung des Produkts

Ähnliche Produkte

Si-PIN-Photodiode mit erhöhter NIR-Empfindlichkeit (430-1100nm) PDCP08-201

Si-PIN-Photodiode mit niedrigem Dunkelstrom (350-1060nm) PDCC34-001

Si-PIN-Photodiode mit niedrigem Dunkelstrom (350-1060nm) PDCD100-101

Si-PIN-Photodiode mit niedrigem Dunkelstrom (350-1060nm) PDCT07-001

Senden Sie uns eine Nachricht