Si-PIN-Photodiode mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (190-1100nm) PDCT06-F01

Erzielen Sie eine schnelle Signalerfassung mit unserer Si-PIN-Photodiode mit schneller Anstiegszeit. Optimiert für optische Kommunikation und Impulserkennung mit niedriger Kapazität und hoher Zuverlässigkeit. Nutzen Sie noch heute die Leistung einer schnellen Si-PIN-Photodiode.

Categories Si-PIN-Fotodioden, Verbesserte UV-Empfindlichkeit Tags Schneller Photodetektor, Schnelle Anstiegszeit Si-PIN-Photodiode, Hochgeschwindigkeits-Photodiode, Erkennung von Laserimpulsen, Optischer Kommunikationsdetektor, Si-PIN-Detektor, TO-Gehäuse PIN-Diode Marke: Bienen-Photon

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Beschreibung des Produkts

Si PD mit erhöhter UV-Empfindlichkeit - Serie F(190-1100 nm)
Typ No.	Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge	Lichtempfindlichkeit	Dunkler Strom	Übergangskapazität	Anstiegszeit	Größe der lichtempfindlichen Fläche	Material der Fenster	Paket
Typ No.	Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge	Lichtempfindlichkeit	V_R=10 mV	V_R=0 V	V_R=0V;R_L=1 kΩ	Größe der lichtempfindlichen Fläche	Material der Fenster	Paket
	[nm]	[A/W]	[pA]	[pF]	[μs]	[mm]
PDCT01-F01	1000	0,11@200nm 0,26@365nm 0,47@633nm 0,73@1000nm	8	15	0.03	1,0×1,0	Quarz	TO18/2-Pin
PDCT06-F01			10	75	0.16	2,4×2,4	Quarz	TO5/2-Pin
PDCT25-F01			20	350	0.77	5,0 × 5,0	Quarz	TO8/2PIN
PDCD100-F01			45	1000	2.2	10×10	Quarz	DIP