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Hochgeschwindigkeits-SMD-Si-PIN-Photodiode - NIR-verstärkt für optische Kommunikation

Si-PIN-Photodiode mit erhöhter NIR-Empfindlichkeit (430-1100nm) PDCP08-201

Die PDCP08-201 ist eine leistungsstarke SMD-Si-PIN-Fotodiode entwickelt für optische Präzisionskommunikation und medizinische Sensorik.[1] Mit einer großen aktiven Fläche von 2,9×2,9 mm, einer verbesserten NIR-Empfindlichkeit (0,70 A/W) und einem extrem niedrigen Dunkelstrom (20 pA) bietet dieser SMD-Si-PIN-Fotodiode gewährleistet eine hervorragende Signalerkennung und Zuverlässigkeit in einem kompakten oberflächenmontierten Gehäuse.
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Beschreibung des Produkts

Si-PD mit erhöhter NIR-Empfindlichkeit (430-1100nm)
Typ No.

 

 Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge Lichtempfindlichkeit Dunkler Strom Übergangskapazität Anstiegszeit Größe der lichtempfindlichen Fläche Material der Fenster

 

 Paket

 
@λp VR=10mV VR=0V VR=0V; RL=1kΩ
[nm] [A/W] [pA] [pF] [μs] [mm]
PDCP003-201 940 0.58 10 5 0.01 0.54×0.54 Harz(CR) Kunststoff(SMD)
PDCP08-201 0.70 20 70 0.15 2.9×2.9 Harz(CR) Kunststoff(SMD)
PDCP08-301 0.70 20 70 0.15 2.9×2.9 Harz(CR) Plastic/Side-look/DIP
PDCP08-401 0.70 20 70 0.15 2.9×2.9 Harz(CR) Plastic/Side-look ball lens/DIP
PDCP08-403 0.70 20 70 0.15 2.9×2.9 Harz(CR) Plastic/Side-look ball lens/DIP
PDCP08-501 0,2 @520nm

0.70@λp

 20 70 0.15 2.9×2.9 Harz(CR) Kunststoff(SMD)
PDCP08-502 920 0,35 @520nm

0.60@λp

 5 125 0.27 2.9×2.8 Harz(CR) Kunststoff(SMD)

PDCP08-201-pic

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