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Fotodiodo PIN de Si
| No. de tipo. 1 | Ventana material |
Fotosensible tamaño de la zona (mm) |
Número de pin | Valores máximos absolutos | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tstg (°C) 2 | Topr (°C) 2 | Tsol (°C) | VR MAX (V) | ESD HBM (V) |
||||
| PDCP08-501 | Resina epoxi (CR) | 2.9×2.9 | 2 clavijas | -40 a +100 | -40 a +100 | 260 (3s) |
20 | 1000 |
| PDCP08-502 | 2.9×2.8 | |||||||
| PDCP08-511 | Resina epoxi (BK) | 2.9×2.9 | ||||||
| No. de tipo. | Espectral respuesta gama λ (nm) |
Pico sensibilidad longitud de onda λp (nm) |
Fotosensibilidad S (A/W) |
Corriente oscura ID (pA) VR=10mV |
Temp. coeficiente de ID TcID (tiempos/°C) |
Empalme capacitancia Cj (pF) VR=0V f=100kHz |
Tiempo de subida tr (μs) VR=0V RL=1kΩ |
Derivación resistencia Rsh (GΩ) VR=10mV |
NEP (W/Hz1/2) |
Directividad φ (°) |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tipo. | Max. | Tipo. | Max. | Min. | Tipo. | ||||||||
| PDCP08-501 | 450-1100 | 940 | 0,2 @520nm 0.7 @λp |
20 | 1000 | 1.13 | 70 | 120 | 0.15 | 0.01 | 0.5 | 1.5×10-14 | ±65 |
| PDCP08-502 | 340-1100 | 920 | 0,35 @520nm 0.6 @λp |
5 | 100 | 1.135 | 125 | 180 | 0.27 | 0.1 | 2 | 5.9×10-15 | ±65 |
| PDCP08-511 | 850-1100 | 940 | 0.55 @λp | 20 | 1000 | 1.13 | 70 | 120 | 0.15 | 0.01 | 0.5 | 2.1×10-14 | ±65 |
