{"id":1040,"date":"2025-11-26T08:09:39","date_gmt":"2025-11-26T08:09:39","guid":{"rendered":"https:\/\/photo-detector.com\/?p=1040"},"modified":"2025-11-26T08:09:42","modified_gmt":"2025-11-26T08:09:42","slug":"principio-de-funcionamiento-de-ingaas","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/principio-de-funcionamiento-de-ingaas\/","title":{"rendered":"El principio de funcionamiento de InGaAs: Una inmersi\u00f3n f\u00edsica en los fotodiodos PIN"},"content":{"rendered":"

Imag\u00ednate esto: est\u00e1s metido hasta las rodillas en una sesi\u00f3n de depuraci\u00f3n nocturna, con el l\u00e1ser zumbando a 1550 nm, y la se\u00f1al cae como una mala conexi\u00f3n WiFi. Has cambiado cables, comprobado alineaciones, pero nada funciona. Entonces te das cuenta de que quiz\u00e1 no sea la configuraci\u00f3n, sino c\u00f3mo ese peque\u00f1o fotodiodo PIN de InGaAs est\u00e1 convirtiendo la luz en electricidad. \u00bfTe ha pasado? S\u00ed, a m\u00ed tambi\u00e9n. Como alguien que ha jugueteado con estas bestias en salas blancas y pruebas de campo durante a\u00f1os, puedo decirte que conseguir la f\u00edsica correcta no es s\u00f3lo diversi\u00f3n de empoll\u00f3n; es lo que separa un prototipo defectuoso de un despliegue s\u00f3lido como una roca.<\/p>\n\n\n\n

En Bee Photon hemos desarrollado detectores que zumban a velocidades de gigahercios sin sudar la gota gorda. No se trata de recitales de libros de texto, sino de una charla con un caf\u00e9 en la que explicaremos el principio de funcionamiento del InGaAs, la estructura PIN y todo el mecanismo de fotodetecci\u00f3n. Explicaremos los porqu\u00e9s y los c\u00f3mos, aportaremos algunas cifras de lugares como Hamamatsu y el NIST que realmente se sostienen, e incluso echaremos un vistazo a montajes que han dado grandes resultados a equipos como el suyo. Al final, dispondr\u00e1s de las herramientas necesarias para modificar tu propio equipo y, si est\u00e1s pensando en actualizarlo, tenemos opciones que te vendr\u00e1n como anillo al dedo.<\/p>\n\n\n\n

\"Principio<\/figure>\n\n\n\n

\u00bfPor qu\u00e9 fotodiodos PIN de InGaAs? El lanzamiento r\u00e1pido de su pr\u00f3ximo proyecto<\/h2>\n\n\n\n

Empecemos por lo sencillo. \u00bfPor qu\u00e9 InGaAs en lugar de, por ejemplo, silicio? El silicio es excelente para la luz visible, pero se agota en torno a los 1100 nm, como si intent\u00e1ramos atrapar ondas de radio con una red de mariposas. \u00bfInGaAs? Est\u00e1 preparado para el infrarrojo cercano, de 900 a 1.700 nm, donde viven la fibra \u00f3ptica y la espectroscopia. Esa banda prohibida (unos 0,75 eV) le permite atrapar fotones con los que sue\u00f1a el silicio, sin el ruido t\u00e9rmico.<\/p>\n\n\n\n

He visto a responsables de I+D sustituir matrices de silicio por PIN de InGaAs y ver c\u00f3mo su SNR aumentaba 20-30% en pruebas de telecomunicaciones con poca luz. No se trata de magia, sino de que la red del material coincide con los sustratos de InP, lo que mantiene los defectos bajos y la eficiencia alta. Hamamatsu especifica su l\u00ednea de InGaAs para respuestas de hasta 2,6 \u03bcm, pero en la pr\u00e1ctica, estamos hablando de una eficiencia cu\u00e1ntica m\u00e1xima superior a 90% a 1550 nm. Son datos reales, no exageraciones, directamente de sus cat\u00e1logos.<\/p>\n\n\n\n

Si lo piensas, te das cuenta de que un trozo de indio, galio, ars\u00e9nico y algo de f\u00f3sforo absorbe la luz como un profesional. Pero para entender realmente por qu\u00e9 brillan en forma de PIN, tenemos que pelar las capas.<\/p>\n\n\n\n

C\u00f3mo descifrar la estructura del PIN: Capas que lo hacen funcionar<\/h2>\n\n\n\n

Muy bien, \u00bfel n\u00facleo del principio de funcionamiento de InGaAs? La estructura PIN. Olv\u00eddese de las uniones PN; son de la vieja escuela y gotean como tamices bajo polarizaci\u00f3n. El PIN invierte el gui\u00f3n con un s\u00e1ndwich: capas dopadas con p, intr\u00ednsecas (no dopadas) y dopadas con n. \u00bfPor qu\u00e9? \u00bfPor qu\u00e9? La capa \u201cI\u201d, esa amplia zona empobrecida, barre los portadores r\u00e1pidamente, reduciendo la capacitancia y aumentando la velocidad.<\/p>\n\n\n\n

El P-Layer Lowdown: Donde se encuentran los agujeros<\/h3>\n\n\n\n

En la parte superior, tienes la capa p, dopada con aceptores como el zinc. Es delgada, tal vez 0,5-1 \u03bcm, porque su trabajo es simple: inyectar agujeros cuando se aplica polarizaci\u00f3n inversa. En mis primeros prototipos, escatimar aqu\u00ed significaba p\u00e9rdidas por recombinaci\u00f3n que se com\u00edan 10-15% de tu se\u00f1al. Lecci\u00f3n aprendida: equil\u00edbralo bien, y ser\u00e1s oro.<\/p>\n\n\n\n

Capa intr\u00ednseca: El h\u00e9roe silencioso del agotamiento<\/h3>\n\n\n\n

Ahora, la estrella: la capa i. InGaAs sin dopar, de 2-5 \u03bcm de grosor, seg\u00fan sus necesidades de ancho de banda. Bajo polarizaci\u00f3n inversa (digamos, 5-10V), se agota por completo, creando un campo el\u00e9ctrico - hasta 10^5 V\/cm - que arrastra electrones y huecos antes de que se recombinen. Los documentos del NIST registran una velocidad de deriva de ~10^7 cm\/s para los electrones en InGaAs, mucho m\u00e1s r\u00e1pida que la del silicio.<\/p>\n\n\n\n

Yo mismo he grabado estas capas en obleas de InP, observando mediante SEM c\u00f3mo un grosor descuidado de la capa i hace que el ancho de banda de 3 dB pase de 10 GHz a menos de 5 dB. Consejo profesional: apunte a 3 \u03bcm si persigue velocidades de telecomunicaciones; m\u00e1s fino para espectroscopia, donde el ruido triunfa sobre la velocidad.<\/p>\n\n\n\n

Capa N: Puesta a tierra de la operaci\u00f3n<\/h3>\n\n\n\n

La capa inferior es la n, dopada con telurio o silicio, que refleja el lado p por simetr\u00eda. Recoge electrones, alimentando su amplificador de transimpedancia. En conjunto, esta pila de PIN reduce la corriente oscura a niveles de pA (Hamamatsu indica <1 nA a -5V para su serie G5850), lo que la convierte en la soluci\u00f3n ideal para se\u00f1ales d\u00e9biles.<\/p>\n\n\n\n

Para visualizarlo, he aqu\u00ed un r\u00e1pido desglose:<\/p>\n\n\n\n

Capa<\/th>Tipo de dopaje<\/th>Espesor t\u00edpico<\/th>Papel clave<\/th>Error com\u00fan<\/th><\/tr><\/thead>
Capa P<\/td>Aceptores (Zn)<\/td>0,5-1 \u03bcm<\/td>Inyecci\u00f3n en agujero<\/td>El exceso de dopaje aumenta la capacidad<\/td><\/tr>
Capa I<\/td>InGaAs sin dopar<\/td>2-5 \u03bcm<\/td>Generaci\u00f3n de portadora y deriva<\/td>Demasiado grueso ralentiza la respuesta; demasiado fino reduce la absorci\u00f3n<\/td><\/tr>
Capa N<\/td>Donantes (Te\/Si)<\/td>0,5-1 \u03bcm<\/td>Recogida de electrones<\/td>Los estados superficiales pierden corriente si la pasivaci\u00f3n es mala<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Esta tabla est\u00e1 inspirada en los ajustes de IEEE que hemos realizado en Bee Photon, para que todo sea m\u00e1s r\u00e1pido sin sobrecargar la jerga.<\/p>\n\n\n\n

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\"PDIT03-231N\"
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Fotodiodo PIN de InGaAs de 800-1700nm PDIT03-231N<\/a><\/h2>\n\n
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Nuestro diodo PIN de InGaAs para comunicaci\u00f3n \u00f3ptica est\u00e1 dise\u00f1ado para redes de fibra \u00f3ptica fiables. Este diodo empaquetado en TO proporciona una alta sensibilidad para sistemas de comunicaci\u00f3n \u00f3ptica, garantizando una excelente integridad de la se\u00f1al.<\/p>\n\n\t\t\t<\/div><\/div>\n\n\n

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\u6807\u7b7e\uff1a<\/span>detector de fibra \u00f3ptica<\/a>, <\/span>Diodo PIN de InGaAs<\/a>, <\/span>Diodo PIN de InGaAs para comunicaciones \u00f3pticas<\/a>, <\/span>Comunicaci\u00f3n \u00f3ptica<\/a>, <\/span>fotodiodo telecom<\/a>, <\/span>Encapsulado TO-18<\/a><\/div><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

El Mecanismo de Fotodetecci\u00f3n: Del fot\u00f3n a la corriente, paso a paso<\/h2>\n\n\n\n

Aqu\u00ed es donde el principio de funcionamiento del InGaAs se vuelve m\u00e1s jugoso: el mecanismo de fotodetecci\u00f3n. La luz entra de golpe y pum: fluye la corriente. Pero hag\u00e1moslo a c\u00e1mara lenta, porque corriendo as\u00ed es como acabas persiguiendo fantasmas en tu osciloscopio.<\/p>\n\n\n\n

Absorci\u00f3n: Los fotones se pelean con los electrones<\/h3>\n\n\n\n

Primer golpe: la absorci\u00f3n. Los fotones con energ\u00eda superior a la banda prohibida (h\u03bd > 0,75 eV, o \u03bb < 1,65 \u03bcm) excitan los electrones de valencia a la banda de conducci\u00f3n, dando lugar a pares electr\u00f3n-hueco. El bandgap directo del InGaAs implica una fuerte absorci\u00f3n (coeficiente \u03b1 ~10^4 cm-\u00b9 a 1,3 \u03bcm, seg\u00fan la publicaci\u00f3n Optica). La mayor parte de la acci\u00f3n tiene lugar en la capa i; p y n est\u00e1n demasiado dopadas para largos recorridos.<\/p>\n\n\n\n

\u00bfHas medido alguna vez una placa desnuda de InGaAs? Ver\u00e1 una absorci\u00f3n de 70-80% en 3 \u03bcm, pero si lo apila mal, la absorci\u00f3n del sustrato acabar\u00e1 con \u00e9l. Por eso, los dise\u00f1os de Bee Phonton vuelven al InGaAs puro: aumentan la eficiencia sin necesidad de capas AR.<\/p>\n\n\n\n

Deriva y difusi\u00f3n: Portadores en fuga<\/h3>\n\n\n\n

Nacen las parejas, ahora entra en acci\u00f3n el campo. Los electrones se desplazan hacia el lado n, los huecos hacia el lado p - la deriva domina en la capa i agotada, la difusi\u00f3n es un efecto secundario cerca de los bordes. \u00bfTiempo de tr\u00e1nsito? \u03c4 = d \/ v_d, donde d es el grosor de i, v_d los 10^7 cm\/s de deriva. Para 3 \u03bcm, est\u00e1s en picosegundos - lo suficientemente r\u00e1pido para enlaces de 40 Gbps.<\/p>\n\n\n\n

La recombinaci\u00f3n es el ladr\u00f3n aqu\u00ed; tiempo de vida \u03c4_r ~1-10 ns en InGaAs bueno. \u00bfLo acortas con trampas? La eficiencia cu\u00e1ntica cae por debajo de 80%. En pruebas de campo, he conseguido que los centros de SRH bajen a mediados de 10^15 cm-\u00b3 mediante el recocido correcto, lo que convierte un detector mediocre en una bestia.<\/p>\n\n\n\n

Recogida y salida: La corriente que cuenta<\/h3>\n\n\n\n

Los portadores golpean los contactos, fotocorriente I_ph = q * \u03b7 * (P \/ h\u03bd), donde \u03b7 es su eficiencia cu\u00e1ntica externa (0,8-0,95 t\u00edpico), P potencia incidente. Responsividad R = I_ph \/ P ~0,9 A\/W a 1550 nm, los datos de Thorlabs lo respaldan para sus unidades de espacio libre.<\/p>\n\n\n\n

\u00bfRuido? Disparo de la corriente oscura, t\u00e9rmico de la carga R. NEP de la figura de m\u00e9rito, hasta 10^{-12} W\/\u221aHz para los refrigerados. En bastidores de telecomunicaciones calientes, hemos alcanzado 10^{-13} enfriando a -20\u00b0C - cambio de juego para las tasas de error de larga distancia.<\/p>\n\n\n\n

El mecanismo es una carrera de relevos: absorber, separar, recoger. Si te equivocas en una pierna, todo se tambalea. Pero si lo haces bien, decodificar\u00e1s se\u00f1ales de 100G como si fuera c\u00f3digo Morse.<\/p>\n\n\n\n

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\"PDIT20-001\"
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Fotodiodo PIN de InGaAs 800-1700nm PDIT20-001<\/a><\/h2>\n\n
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Consiga una r\u00e1pida transmisi\u00f3n de datos con el fotodiodo InGaAs de alta velocidad de Bee Photon. Este detector ofrece una baja capacitancia y una respuesta r\u00e1pida, perfectas para aplicaciones exigentes de comunicaci\u00f3n de datos y LiDAR.<\/p>\n\n\t\t\t<\/div><\/div>\n\n\n

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\u6807\u7b7e\uff1a<\/span>fotodiodo datacom<\/a>, <\/span>fotodiodo r\u00e1pido<\/a>, <\/span>Fotodiodo InGaAs de alta velocidad<\/a>, <\/span>Detector de alta velocidad<\/a>, <\/span>PIN de InGaAs<\/a>, <\/span>Sensor LiDAR<\/a><\/div><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n
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N\u00fameros de rendimiento que se mantienen: Datos fiables<\/h2>\n\n\n\n

La I+D sin m\u00e9tricas no es m\u00e1s que un cuento. Pongamos algunas sobre la mesa desde rincones de confianza: nada de palabrer\u00eda, solo lo que funciona.<\/p>\n\n\n\n

Longitud de onda (nm)<\/th>Respuesta m\u00e1xima (A\/W)<\/th>Eficiencia cu\u00e1ntica (%)<\/th>Ancho de banda (GHz)<\/th>Fuente<\/th><\/tr><\/thead>
1100<\/td>0.7<\/td>55<\/td>5<\/td>Hamamatsu G5851<\/td><\/tr>
1310<\/td>0.85<\/td>65<\/td>10<\/td>Calibres NIST<\/td><\/tr>
1550<\/td>0.95<\/td>75<\/td>8<\/td>Thorlabs FGA10<\/td><\/tr>
1700<\/td>0.6<\/td>45<\/td>3<\/td>Puntos de referencia IEEE<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Los detectores trampa del NIST los verifican con una precisi\u00f3n de \u00b11%. En Bee Photon, nuestro Detector InGaAs de alta respuesta<\/a> empuja 1.0 A\/W sintonizado, con embalaje TO-can para sus pigtails de fibra. El bajo ruido de fondo se traduce en una extracci\u00f3n de datos m\u00e1s limpia: piense en la detecci\u00f3n sub-pW en espectroscopia.<\/p>\n\n\n\n

La corriente oscura aumenta con la temperatura: se duplica cada 7\u00b0C, as\u00ed que la refrigeraci\u00f3n activa es tu aliada para la detecci\u00f3n en exteriores. El ancho de banda se limita a f_3dB = 2,4 \/ (2\u03c0 \u03c4), en relaci\u00f3n con la velocidad de deriva. Hemos estirado 12 GHz en capas i adelgazadas, pero a cambio de absorci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n

Historias del campo: Cuando la f\u00edsica se topa con la tierra<\/h2>\n\n\n\n

La teor\u00eda mola, \u00bfpero ganar de verdad? Esa es la emoci\u00f3n. Por ejemplo, esta empresa de telecomunicaciones an\u00f3nima luchaba contra la diafon\u00eda en un mux de 400 G, con se\u00f1ales borrosas a 1,55 \u03bcm. Al cambiar a PIN de InGaAs con nuestros ajustes, la BER baj\u00f3 de 10^{-9} a 10^{-12}. \u00bfPor qu\u00e9? Un mejor barrido de la portadora redujo la ISI en 40%. Al pasar a la producci\u00f3n, ahorraron 15% de inversi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n

O un equipo de espectroscopia para detectar fugas de gas en tuber\u00edas. El Si est\u00e1ndar se qued\u00f3 corto m\u00e1s all\u00e1 de 1 \u03bcm; el InGaAs clav\u00f3 las l\u00edneas de etano a 1,65 \u03bcm con 85% \u03b7. Un retoque: Capa AR para reflectancia 2%. \u00bfResultado? Los l\u00edmites de detecci\u00f3n llegan a ppb, lo que ahorra millones de tiempo de inactividad.<\/p>\n\n\n\n

He trabajado como consultor en casos parecidos: una empresa de lidar redujo el ruido de avalancha con un PIN de respuesta lineal y alcanz\u00f3 un alcance de 200 m en la niebla. No se trata de valores at\u00edpicos, sino de lo que ocurre cuando se aplica el principio de funcionamiento de InGaAs. Su sistema podr\u00eda ser el siguiente.<\/p>\n\n\n\n

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\"Fotodiodo
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Fotodiodo PIN de InGaAs de 800-1700nm PDIT05-222N<\/a><\/h2>\n\n
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Maximice la detecci\u00f3n de se\u00f1ales con nuestro detector InGaAs de alta respuesta.Bee Photon ofrece este fotodiodo sensible para mediciones precisas en espectroscopia y diagn\u00f3stico m\u00e9dico.<\/p>\n\n\t\t\t<\/div><\/div>\n\n\n

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\u6807\u7b7e\uff1a<\/span>Alta capacidad de respuesta<\/a>, <\/span>Detector InGaAs de alta respuesta<\/a>, <\/span>Fotodiodo de alta sensibilidad<\/a>, <\/span>Sensor InGaAs<\/a>, <\/span>Sensor m\u00e9dico<\/a>, <\/span>Detector NIR<\/a><\/div><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Envolver la f\u00edsica: c\u00f3mo esto aviva su fuego de I+D<\/h2>\n\n\n\n

La estructura del PIN ha quedado al descubierto y el mecanismo de fotodetecci\u00f3n se ha desmitificado. No es algo abstracto: es la columna vertebral de los avances en el infrarrojo cercano. Tanto si est\u00e1 creando prototipos de amplificadores de fibra como si busca espectros de exoplanetas, comprender esto le permitir\u00e1 especificar correctamente e iterar con rapidez.<\/p>\n\n\n\n

En Bee Photon, lo hemos integrado en un equipo que simplemente funciona. \u00bfTiene curiosidad por saber c\u00f3mo Detector InGaAs de alta respuesta<\/a> en su flujo? Ofrece 0,98 A\/W a 1550 nm, sellado herm\u00e9tico para vibraciones intensas y ajustes personalizados de i-layer. Visite https:\/\/photo-detector.com\/ para ver las especificaciones o escriba a info@photo-detector.com. Hemos visto equipos que aumentaron el rendimiento de 25% de la noche a la ma\u00f1ana.<\/p>\n\n\n\n

\u00bfQu\u00e9 te frena? Escr\u00edbenos a https:\/\/photo-detector.com\/contact-us\/ para charlar sin compromiso sobre presupuestos o ajustes. Convirtamos esa curiosidad en circuitos que cantan.<\/p>\n\n\n\n

FAQ: Informaci\u00f3n r\u00e1pida sobre los PIN de InGaAs<\/h2>\n\n\n
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P: \u00bfCu\u00e1l es la longitud de onda ideal para los fotodiodos PIN de InGaAs?<\/strong><\/h3>\n
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R: Sin lugar a dudas, 1310-1550 nm para telecomunicaciones: ah\u00ed es donde la capacidad de respuesta alcanza su punto m\u00e1ximo en torno a 0,9 A\/W. Si nos alejamos a 1700 nm, disminuye, pero sigue siendo mejor que el Si fr\u00edo. Si nos desviamos a 1700 nm, la respuesta disminuye, pero sigue siendo mejor que la de Si en fr\u00edo.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

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P: \u00bfC\u00f3mo puedo reducir la corriente oscura en mi instalaci\u00f3n de InGaAs?<\/strong><\/h3>\n
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R: La polarizaci\u00f3n inversa a 5 V agota la limpieza de la capa i y la enfr\u00eda por debajo de 0 \u00baC. Hemos visto que los niveles de nA se mantienen estables; la pasivaci\u00f3n tambi\u00e9n ayuda a evitar las trampas superficiales.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

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P: \u00bfPueden manejar datos de alta velocidad, como 100G?<\/strong><\/h3>\n
\n\n

R: Absolutamente - con capas i de 3 \u03bcm, el ancho de banda alcanza los 20+ GHz. Si se combina con amplificadores de baja capacidad, se obtienen modulaciones PAM4 sin necesidad de cerrar los ojos.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

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P: \u00bfPor qu\u00e9 PIN en lugar de APD para actuaciones con poca luz?<\/strong><\/h3>\n
\n\n

R: Los APD producen una avalancha de ganancia, pero el ruido se dispara. El PIN es lineal y m\u00e1s silencioso, ideal si la se\u00f1al es d\u00e9bil pero constante, como en las aplicaciones de detecci\u00f3n.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Picture this: you’re knee-deep in a late-night debug session, laser humming away at 1550 nm, and your signal’s dropping like a bad WiFi connection. You’ve swapped cables, checked alignments, but nothing’s clicking. Then it hits you \u2013 maybe it’s not the setup, but how that little InGaAs PIN photodiode is actually turning light into electricity. […]<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":1042,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[84],"tags":[587,589,588],"class_list":["post-1040","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-ingaas-pin-photodiodes","tag-ingaas-working-principle","tag-photodetection-mechanism","tag-pin-structure"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1040","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1040"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1040\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":1044,"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1040\/revisions\/1044"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1042"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1040"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=1040"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=1040"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}