{"id":1353,"date":"2026-01-26T07:41:20","date_gmt":"2026-01-26T07:41:20","guid":{"rendered":"https:\/\/photo-detector.com\/?p=1353"},"modified":"2026-01-26T07:41:23","modified_gmt":"2026-01-26T07:41:23","slug":"ingaas-vs-fotodiodos-de-silicio","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/photo-detector.com\/es\/ingaas-vs-fotodiodos-de-silicio\/","title":{"rendered":"Fotodiodos de InGaAs frente a los de silicio: Elecci\u00f3n del detector adecuado para equipos OTDR"},"content":{"rendered":"

Est\u00e1 dise\u00f1ando su OTDR (reflect\u00f3metro \u00f3ptico en el dominio del tiempo) de \u00faltima generaci\u00f3n. Ya ha resuelto el problema de las fuentes l\u00e1ser, la modulaci\u00f3n por ancho de pulso tiene buena pinta, pero ahora se enfrenta al extremo receptor. El detector.<\/p>\n\n\n\n

Siempre es el mismo debate en el laboratorio de I+D, \u00bfverdad? \u00bfIntentamos abaratar costes con el silicio (Si) o apostamos por el arseniuro de indio y galio (InGaAs)?<\/p>\n\n\n\n

Si echa un vistazo r\u00e1pido a las hojas de datos, es posible que piense que tiene margen de maniobra. Pero aqu\u00ed est\u00e1 la cruda realidad: si su equipo est\u00e1 orientado a las ventanas est\u00e1ndar de telecomunicaciones (1310 nm y 1550 nm), conseguir el fotodiodo equivocado no es s\u00f3lo una diferencia de especificaciones menor, es la diferencia entre un instrumento de primer nivel y un pisapapeles.<\/p>\n\n\n\n

En BeePhoton<\/strong>, Hemos visto a muchos ingenieros intentar \u201chackear\u201d el sistema llevando los detectores a sus l\u00edmites absolutos. A veces funciona. La mayor\u00eda de las veces, el resultado es un caos ruidoso. Hoy quiero explicarte las diferencias reales entre Fotodiodos de InGaAs frente a los de Silicio<\/strong>, espec\u00edficamente para componentes de pruebas de fibra \u00f3ptica. Nada de palabrer\u00eda, solo la realidad de la ingenier\u00eda.<\/p>\n\n\n\n

El campo de batalla de la longitud de onda: El l\u00edmite de la f\u00edsica<\/h2>\n\n\n\n

Antes de hablar de precios o envases, hay que respetar la f\u00edsica. La diferencia fundamental entre estos dos materiales radica en su energ\u00eda de banda prohibida. No se trata solo de teor\u00eda de libro de texto; dicta el l\u00edmite superior de la longitud de onda que el detector OTDR puede ver realmente.<\/p>\n\n\n\n

Silicio: El rey del corto alcance (850 nm)<\/h3>\n\n\n\n

El silicio es barato. Es abundante. Los procesos de fabricaci\u00f3n est\u00e1n maduros porque toda la industria de semiconductores funciona con \u00e9l.<\/p>\n\n\n\n

El silicio tiene una energ\u00eda de banda prohibida de aproximadamente 1,12 eV<\/strong> a temperatura ambiente. \u00bfQu\u00e9 significa esto para nosotros? Significa que el Silicio es fant\u00e1stico absorbiendo fotones en el rango visible y en el infrarrojo cercano (NIR) hasta unos 1000nm o 1100nm.<\/p>\n\n\n\n

Si est\u00e1 construyendo un OTDR espec\u00edficamente para pruebas de fibra multimodo (MMF) -principalmente LAN y centros de datos que funcionan a 850nm<\/strong>-El silicio es tu mejor amigo. Tiene un pico de respuesta en torno a los 900 nm.<\/p>\n\n\n\n

Sin embargo<\/strong>, Sin embargo, una vez superados los 1100 nm, el silicio se vuelve transparente. Los fotones de un l\u00e1ser de 1310 nm atraviesan el material sin generar pares electr\u00f3n-hueco. No hay corriente. No hay se\u00f1al.<\/p>\n\n\n\n

InGaAs: El est\u00e1ndar de las telecomunicaciones (1310nm\/1550nm\/1625nm)<\/h3>\n\n\n\n

Aqu\u00ed es donde Fotodiodos PIN de InGaAs<\/strong> entrar en el chat. El arseniuro de indio y galio tiene una banda prohibida m\u00e1s peque\u00f1a (alrededor del 0,75 eV<\/strong> dependiendo de la relaci\u00f3n de aleaci\u00f3n). Esto le permite absorber fotones de menor energ\u00eda, concretamente los que se encuentran en las bandas de la fibra monomodo (SMF).<\/p>\n\n\n\n

Para un OTDR que mide redes de larga distancia, FTTx o PON, se trabaja con 1310nm, 1490nm, 1550nm y 1625nm<\/strong>. El silicio es in\u00fatil aqu\u00ed. Si se quiere detectar algo, no queda m\u00e1s remedio que utilizar InGaAs.<\/p>\n\n\n\n

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Nota del ingeniero:<\/strong> Una vez vi a un competidor intentar comercializar una sonda \u201cuniversal\u201d que utilizaba un detector de Ge (Germanio) para ahorrar dinero respecto a los InGaAs. El germanio funciona en estas longitudes de onda, pero la corriente oscura (ruido) es significativamente mayor. Si te importa el rango din\u00e1mico (y en los OTDR, el rango din\u00e1mico lo es todo), el InGaAs es superior al Germanio.<\/p>\n<\/blockquote>\n\n\n\n

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\"Fotodiodo
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Fotodiodo PIN de Si con sensibilidad NIR mejorada (430-1100nm) PDCP08-201<\/a><\/h2>\n\n
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En\u00a0<\/span>PDCP08-201<\/span><\/strong>\u00a0es un sistema de alto rendimiento\u00a0<\/span>Fotodiodo SMD Si PIN<\/span><\/strong>\u00a0dise\u00f1ado para la comunicaci\u00f3n \u00f3ptica de precisi\u00f3n y la detecci\u00f3n m\u00e9dica[.<\/span>1<\/span><\/a>] Con una gran \u00e1rea activa de 2,9\u00d72,9 mm, una sensibilidad NIR mejorada (0,70 A\/W) y una corriente oscura ultrabaja (20 pA), este\u00a0<\/span>Fotodiodo SMD Si PIN<\/span><\/strong>\u00a0garantiza una detecci\u00f3n de se\u00f1ales y una fiabilidad superiores en un encapsulado compacto de montaje superficial.<\/span><\/p>\n\n\t\t\t<\/div><\/div>\n\n\n

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Etiqueta\uff1a<\/span>Fotodiodo de alta velocidad<\/a>, <\/span>Detector de infrarrojos<\/a>, <\/span>Sensor m\u00e9dico<\/a>, <\/span>Fotodiodo NIR<\/a>, <\/span>Sensor de comunicaci\u00f3n \u00f3ptica<\/a>, <\/span>Fotodiodo PIN de silicio<\/a>, <\/span>Fotodetector SMD<\/a>, <\/span>Fotodiodo SMD Si PIN<\/a><\/div><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Especificaciones t\u00e9cnicas clave: Sensibilidad y ruido<\/h2>\n\n\n\n

Pasemos a las matem\u00e1ticas. No te preocupes, s\u00e9 que los editores est\u00e1ndar de WordPress odian LaTeX, as\u00ed que mantendr\u00e9 estas f\u00f3rmulas limpias y f\u00e1ciles de copiar y pegar.<\/p>\n\n\n\n

Cuando seleccione un Detector OTDR<\/strong>, El equilibrio es doble: Cu\u00e1nta se\u00f1al puedo obtener (capacidad de respuesta) y cu\u00e1nto ruido puedo tolerar (NEP\/corriente oscura).<\/p>\n\n\n\n

1. Capacidad de respuesta (R)<\/h3>\n\n\n\n

La capacidad de respuesta indica cu\u00e1nta corriente el\u00e9ctrica se obtiene para una potencia \u00f3ptica determinada. La f\u00f3rmula es la siguiente:<\/p>\n\n\n\n

R = Ip \/ Popt<\/strong><\/p>\n\n\n\n

D\u00f3nde:<\/p>\n\n\n\n