PDC-C2929 kostengünstiger 920-nm-Silizium-PIN-Photodiodenchip für Laserscanner

Si-PIN-Photodioden für Galvo PDC-C2929

Der PDC-C2929 ist ein kostengünstiger 920-nm-Silizium-PIN-Photodioden-Chip. Diese 920-nm-Silizium-PIN-Photodiode bietet eine stabile und wirtschaftliche Scanner-Positionsverfolgung.

Categories Si-PIN-Fotodioden, PD-Array Tags 920nm PIN-Fotodiode, Bienen-Photon, Preisgünstiger Photodioden-Chip, Galvosensor, Silizium-PIN-Fotodiode Marke: Bienen-Photon

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Si-PIN-Photodioden für Galvo PDC-2C3432-NIR-B

Beschreibung des Produkts

BEE PHOTON^®

PDC-C2929

Si PIN-Fotodiodenchip

Die PDC-C2929 ist eine kosteneffiziente 920nm Silizium-PIN-Fotodiode optimiert für Standard-Galvanometer-Feedback und die Positionierung optischer Scanner. In einem quadratischen Design untergebracht, bietet sie ein ausgewogenes Verhältnis zwischen niedrigem Dunkelstrom und stabiler Ansprechkonstanz für budgetfreundliche industrielle Sensorik.

❖ Eigenschaften

◆ Hohe Empfindlichkeit
◆ Extrem niedriger Dunkelstrom
◆ Geringe Temperaturdrift

❖ Anmeldung

◆ Galvanometer-Positionsdetektor

❖ Struktur/ Absolute Höchstwerte

Typ Nr. ¹	Form der lichtempfindlichen Fläche	Größe der lichtempfindlichen Fläche (mm)	Chipgröße (mm)	Absolute Höchstwerte
Typ Nr. ¹	Form der lichtempfindlichen Fläche	Größe der lichtempfindlichen Fläche (mm)	Chipgröße (mm)	T_stg (°C)	T_opr (°C)	V_{R MAX} (V)	ESD HBM-Modus (V)
PDC-C2929	quadratisch	2,9×2,9	3,0×3,0×0,3	-40 bis +100	-40 bis +100	20	1000

1: Die Größe der lichtempfindlichen Fläche, das Fenstermaterial und der Nummernstift können individuell angepasst werden. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

❖ Elektrische und optische Eigenschaften

Typ Nr.	Spektraler Empfindlichkeitsbereich λ (nm)	Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit λ_p (nm)	Fotoempfindlichkeit S (A/W) @ λ_p	Dunkelstrom I_D (pA) V_R=10 mV		Temp.-Koeffizient von ID T_cID (Zeiten/°C)	Bei 850nm Temp.-Koeffizient T_CIk (1%/°C)	Sperrschichtkapazität C_j (pF) V_R=0V f=100kHz		Anstiegszeit t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Parallelwiderstand R_sh (GΩ) V_R=10 mV
Typ Nr.	Spektraler Empfindlichkeitsbereich λ (nm)	Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit λ_p (nm)	Fotoempfindlichkeit S (A/W) @ λ_p	Typ.	Max.	Temp.-Koeffizient von ID T_cID (Zeiten/°C)	Bei 850nm Temp.-Koeffizient T_CIk (1%/°C)	Typ.	Max.	Anstiegszeit t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Min.	Typ.
PDC-C2929	450-1100	920	0.72	15	500	1.14	0.04	70	120	0.15	0.01	0.5