Si-PIN-Photodiode mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060nm) PDCC34-601

Erleben Sie unsere High Quantum Efficiency Photodiode für präzise UV-NIR-Detektion. Das COB-Design und die erhöhte UV-Empfindlichkeit (320-1060 nm) machen diese Si-PIN-Photodiode ideal für kompakte, leistungsstarke Anwendungen.
Facebook
Twitter
LinkedIn

Beschreibung des Produkts

Si PD mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060nm)
Typ No. Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge Lichtempfindlichkeit Dunkler Strom Übergangskapazität Anstiegszeit Größe der lichtempfindlichen Fläche Material der Fenster Paket
VR=10mV VR=0V VR=0V; RL=1kΩ
[nm] [A/W] [pA] [pF] [μs] [mm]
PDCT01-801 800 0,16@365nm

0,47@800nm

2 15 0.05 1.1×1.1 Borosilikat TO18/2PIN
PDCT07-601 5 60 0.13 2.6×2.6 Borosilikat TO5/2PIN
PDCT14-601 8 120 0.26 3.7×3.7 Borosilikat TO5/2PIN
PDCT16-601 10 150 0.33 4.0×4.0 Borosilikat TO5/2PIN
PDCT34-701 15 300 0.66 5.8×5.8 Borosilikat TO8/2PIN
PDCD07-601 0,14@365nm

0,54@800nm

5 60 0.13 2.6×2.6 Harz DIP
PDCD07-801 5 60 0.13 2.6×2.6 Harz DIP
PDCD10-801 8 90 0.2 3.2×3.2 Harz DIP
PDCD34-701 15 300 0.66 5.8×5.8 Harz DIP
PDCD100-301 25 800 1.76 10×10 Harz DIP
PDCC07-601 0,14@365nm

0,54@800nm

5 60 0.13 2.6×2.6 Harz COB
PDCC14-601 10 120 0.26 3.7×3.7 Harz COB
PDCC34-601 15 300 0.66 5.8×5.8 Harz COB
PDCC100-701 25 800 1.76 10×10 Harz COB

PDCC34-601-pic

Senden Sie uns eine Nachricht