940nm PIN-Photodioden-Chip für Galvo-Positionsrückmeldung - Bee Photon

Si-PIN-Photodioden für Galvo PDC-C2928-NIR-B

Optimieren Sie Ihre Scanvorgänge mit unserem 940-nm-PIN-Fotodiodenchip PDC-C2928-NIR-B. Dieser 940-nm-PIN-Fotodiodenchip gewährleistet eine präzise Galvo-Positionserfassung und ein geringes Rauschen.

Categories Si-PIN-Fotodioden, PD-Array Tags 940nm PIN-Fotodiode, Bienen-Photon, Galvo-Positionssensor, Positionssensor-Chip, Quadratische Silizium-Fotodiode Marke: Bienen-Photon

Produktkategorie

Telefonische Unterstützung

86-519-88851852

E-Mail-Unterstützung

info@photo-detector.com

Ausgewählte Produkte

Si-PIN-Photodioden für Galvo PDC-2C3432-NIR-B

Beschreibung des Produkts

BEE PHOTON^®

PDC-C2928-NIR-B

Si PIN-Fotodiodenchip

Die PDC-C2928-NIR-B ist eine leistungsstarke 940-nm-PIN-Photodioden-Chip entwickelt für präzise Galvanometer-Scannersysteme. Er bietet ein stabiles optisches Feedback mit hoher Empfindlichkeit und extrem geringem Rauschen, was ihn für präzise industrielle Laseranwendungen äußerst zuverlässig macht.

❖ Eigenschaften

◆ Hohe Empfindlichkeit
◆ Extrem niedriger Dunkelstrom
◆ Geringe Temperaturdrift

❖ Anmeldung

◆ Galvanometer-Positionsdetektor

❖ Struktur/ Absolute Höchstwerte

Typ Nr. ¹	Form der lichtempfindlichen Fläche	Größe der lichtempfindlichen Fläche (mm)	Chipgröße (mm)	Absolute Höchstwerte
Typ Nr. ¹	Form der lichtempfindlichen Fläche	Größe der lichtempfindlichen Fläche (mm)	Chipgröße (mm)	T_stg (°C)	T_opr (°C)	V_{R MAX} (V)	ESD HBM-Modus (V)
PDC-C2928-NIR-B	quadratisch	2,9×2,8	3,2 × 3,1 × 0,3	-40 bis +100	-40 bis +100	20	1000

1: Die Größe der lichtempfindlichen Fläche, das Fenstermaterial und der Nummernstift können individuell angepasst werden. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

❖ Elektrische und optische Eigenschaften

Typ Nr.	Spektraler Empfindlichkeitsbereich λ (nm)	Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit λ_p (nm)	Fotoempfindlichkeit S (A/W) @ λ_p	Dunkelstrom I_D (pA) V_R=10 mV		Temp.-Koeffizient von ID T_cID (Zeiten/°C)	Bei 850nm Temp.-Koeffizient T_CIk (1%/°C)	Sperrschichtkapazität C_j (pF) V_R=0V f=100kHz		Anstiegszeit t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Parallelwiderstand R_sh (GΩ) V_R=10 mV
Typ Nr.	Spektraler Empfindlichkeitsbereich λ (nm)	Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit λ_p (nm)	Fotoempfindlichkeit S (A/W) @ λ_p	Typ.	Max.	Temp.-Koeffizient von ID T_cID (Zeiten/°C)	Bei 850nm Temp.-Koeffizient T_CIk (1%/°C)	Typ.	Max.	Anstiegszeit t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Min.	Typ.
PDC-C2928-NIR-B	340-1100	940	0.65	5	50	1.135	0.02	125	180	0.27	0.1	2