Si-PIN-Photodiode mit niedrigem Dunkelstrom (350-1060nm) PDCD07-001

Erleben Sie überragende Leistung mit unserer High Speed Si PIN Photodiode. Sie bietet einen niedrigen Dunkelstrom und einen breiten Spektralbereich von 350-1060nm und gewährleistet eine zuverlässige und schnelle Datenübertragung. Diese Hochgeschwindigkeits-Si-PIN-Photodiode im DIP-Gehäuse ist Ihre ideale Wahl für optische Kommunikationssysteme mit hoher Bandbreite.
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Beschreibung des Produkts

Si-PD mit niedrigem Dunkelstrom (350-1060 nm)
Typ No. Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge Lichtempfindlichkeit Dunkler Strom Übergangskapazität Anstiegszeit Größe der lichtempfindlichen Fläche Material der Fenster Paket
VR=10 mV VR=0 V VR=0 V; RL=1 kΩ
[nm] [A/W] [pA] [pF] [μs] [mm]
PDCT01-201 720 0,53@720nm 1 20 0.04 1,1 × 1,1 Borosilikat TO18/2-Pin
PDCT01-202 1 20 0.04 1,1 × 1,1 Kugellinse TO18/2-Pin
PDCT07-001 2.5 70 0.15 2,6 × 2,6 Borosilikat TO5/2-Pin
PDCT14-001 3.5 160 0.35 3,7×3,7 Borosilikat TO5/2-Pin
PDCT34-101 5 350 0.77 5,8×5,8 Borosilikat TO8/2PIN
PDCD07-001 800 0,36@560nm

0,43@633nm

0,52@800nm

2.5 70 0.15 2,6 × 2,6 Harz DIP
PDCD07-201 2.5 70 0.15 2,6 × 2,6 Harz DIP
PDCD10-001 3.5 115 0.25 3,2×3,2 Harz DIP
PDCD34-101 5 400 0.9 5,8×5,8 Harz DIP
PDCD100-101 15 800 1.8 10×10 Harz DIP
PDCC07-003 2.5 70 0.15 2,6 × 2,6 Harz COB
PDCC07-101 2.5 80 0.18 Φ3,0 Harz COB
PDCC14-001 3.5 160 0.35 3,7×3,7 Harz COB
PDCC34-001 5 400 0.9 5,8×5,8 Harz COB
PDCC100-001 15 800 1.8 10×10 Harz COB

PDCD07-001-Bild

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