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Hochgeschwindigkeits-SMD-Si-PIN-Photodiode - NIR-verstärkt für optische Kommunikation

Si-PIN-Photodiode mit erhöhter NIR-Empfindlichkeit (430-1100nm) PDCP08-201

Die PDCP08-201 ist eine leistungsstarke SMD-Si-PIN-Fotodiode entwickelt für optische Präzisionskommunikation und medizinische Sensorik.[1] Mit einer großen aktiven Fläche von 2,9×2,9 mm, einer verbesserten NIR-Empfindlichkeit (0,70 A/W) und einem extrem niedrigen Dunkelstrom (20 pA) bietet dieser SMD-Si-PIN-Fotodiode gewährleistet eine hervorragende Signalerkennung und Zuverlässigkeit in einem kompakten oberflächenmontierten Gehäuse.
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Beschreibung des Produkts

Si-PD mit erhöhter NIR-Empfindlichkeit (430–1100 nm)
Typ No.

 

Spitzenempfindlichkeit WellenlängeLichtempfindlichkeitDunkler StromÜbergangskapazitätAnstiegszeitGröße der lichtempfindlichen FlächeMaterial der Fenster

 

Paket

 

@λpVR=10 mVVR=0 VVR=0 V; RL=1 kΩ
[nm][A/W][pA][pF][μs][mm]
PDCP003-2019400.581050.010,54 × 0,54Harz(CR)Kunststoff(SMD)
PDCP08-2010.7020700.152,9×2,9Harz(CR)Kunststoff(SMD)
PDCP08-3010.7020700.152,9×2,9Harz(CR)Kunststoff/Seitenansicht/DIP
PDCP08-4010.7020700.152,9×2,9Harz(CR)Kunststoff/Seitenblick-Kugellinse/DIP
PDCP08-4030.7020700.152,9×2,9Harz(CR)Kunststoff/Seitenblick-Kugellinse/DIP
PDCP08-5010,2 @520nm

0,70 @ λp

20700.152,9×2,9Harz(CR)Kunststoff(SMD)
PDCP08-5029200,35 @520nm

0,60 @ λp

51250.272,9×2,8Harz(CR)Kunststoff(SMD)

PDCP08-201-Bild

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