Si-PIN-Photodiode mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060nm) PDCC100-701

Unsere Si-PIN-Photodiode mit hoher Empfindlichkeit bietet ein hervorragendes Signal für anspruchsvolle Anwendungen. Sie zeichnet sich bei der UV-Detektion bei schwachem Licht von 320-1060 nm aus.
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Beschreibung des Produkts

Si PD mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060 nm)
Typ No. Spitzenempfindlichkeit Wellenlänge Lichtempfindlichkeit Dunkler Strom Übergangskapazität Anstiegszeit Größe der lichtempfindlichen Fläche Material der Fenster Paket
VR=10 mV VR=0 V VR=0 V; RL=1 kΩ
[nm] [A/W] [pA] [pF] [μs] [mm]
PDCT01-801 800 0,16@365nm

0,47@800nm

2 15 0.05 1,1 × 1,1 Borosilikat TO18/2-Pin
PDCT07-601 5 60 0.13 2,6 × 2,6 Borosilikat TO5/2-Pin
PDCT14-601 8 120 0.26 3,7×3,7 Borosilikat TO5/2-Pin
PDCT16-601 10 150 0.33 4,0×4,0 Borosilikat TO5/2-Pin
PDCT34-701 15 300 0.66 5,8×5,8 Borosilikat TO8/2PIN
PDCD07-601 0,14@365nm

0,54@800nm

5 60 0.13 2,6 × 2,6 Harz DIP
PDCD07-801 5 60 0.13 2,6 × 2,6 Harz DIP
PDCD10-801 8 90 0.2 3,2×3,2 Harz DIP
PDCD34-701 15 300 0.66 5,8×5,8 Harz DIP
PDCD100-301 25 800 1.76 10×10 Harz DIP
PDCC07-601 0,14@365nm

0,54@800nm

5 60 0.13 2,6 × 2,6 Harz COB
PDCC14-601 10 120 0.26 3,7×3,7 Harz COB
PDCC34-601 15 300 0.66 5,8×5,8 Harz COB
PDCC100-701 25 800 1.76 10×10 Harz COB

PDCC100-701-pic

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