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Fototransistor NPN de 800-1100 nm para interruptores fotoeléctricos

Fototransistor de Si Serie PTCP PTCP001-202

Mejore sus soluciones de conmutación con este fototransistor NPN de 800-1100 nm. Perfecto para interruptores fotoeléctricos, ofrece una alta disipación de potencia de hasta 90 mW. Este fototransistor de silicio ofrece un rendimiento constante en entornos adversos de -40°C a +85°C.
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Descripción del producto

ABEJA FOTÓN®

Serie PTCP

Fototransistor PIN de Si

❖ Características

  • ◆ 800~1100nm Rango de respuesta espectral
  • ◆ Alta sensibilidad
  • ◆ Plástico

❖ Aplicación

  • ◆ Conmutador óptico
  • ◆ Cortina óptica de seguridad

❖ Estructura/ Valores máximos absolutos

No. de tipo. 1 Paquete Ventana
material		 Valores máximos absolutos
Tstg (°C) 2 Topr (°C) 2 Tsol (°C) Disipación de potencia
(mW)
PTCP001-102 Plástico Resina
(negro)		 -40 a +100 -40 a +85 260
(<5s)		 90
PTCP001-202 75
1: El tamaño del área fotosensible, el material de la ventana y el número de pin pueden personalizarse. Póngase en contacto con nosotros para obtener más información.
2: No hay condensación de rocío.

❖ Características eléctricas y ópticas

No. de tipo. Espectral
respuesta
gama
λ (nm)		 Pico
sensibilidad
longitud de onda
λp (nm)		 Vces (V) Iceo (nA)
VCE=20V
Max.		 BVceo (V)
Ic=100 μA
Min.		 BVeco (V)
Ie=100 μA
Min.
Ic=2mA
Ib=100 μA
Max.
PTCP001-102 800~1100 940 0.2 100 30 5
PTCP001-202 30

Sensor NPN

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