Chip de fotodiodo PIN segmentado en forma de abanico de 2 segmentos PDC-2C3432-NIR-B

Fotodiodos PIN de Si para Galvo PDC-2C3432-NIR-B

En PDC-2C3432-NIR-B es un especializado chip de fotodiodo PIN segmentado diseñado para una retroalimentación de posición diferencial precisa en escáneres galvanométricos de alta velocidad. La integración de este canal dual chip de fotodiodo PIN segmentado permite que los sistemas obtengan un seguimiento angular preciso con un ruido de señal mínimo.

Categories Fotodiodos PIN de Si, Conjunto PD Tags Fotodiodo diferencial, Sensor de segmento dual, Chip en forma de abanico, Detector de posición de galvanómetro, Fotodiodo segmentado Marca: Fotón abeja

Categoría de productos

Asistencia telefónica

86-519-88851852

Asistencia por correo electrónico

info@photo-detector.com

Productos destacados

Fotodiodos PIN de Si para Galvo PDC-2C3432-NIR-B

Descripción del producto

ABEJA FOTÓN^®

PDC-2C3432-NIR-B

Chip de fotodiodo PIN de Si

En PDC-2C3432-NIR-B es un especializado Chip de fotodiodo PIN segmentado diseñado para una retroalimentación de posición diferencial precisa en escáneres galvanométricos de alta gama. Con un área activa en forma de abanico de 2 segmentos, ofrece una excelente alineación de señal, baja corriente oscura y una robusta inmunidad al ruido.

❖ Características

◆ Alta sensibilidad
◆ Corriente oscura ultrabaja
◆ Baja deriva térmica

❖ Aplicación

◆ Detector de posición de galvanómetro

❖ Estructura/ Valores máximos absolutos

No. de tipo. ¹	Forma del área fotosensible	Tamaño del área fotosensible (mm)	Tamaño del chip (mm)	Valores máximos absolutos
No. de tipo. ¹	Forma del área fotosensible	Tamaño del área fotosensible (mm)	Tamaño del chip (mm)	T_stg (°C)	T_opr (°C)	V_{R MÁX} (V)	Modo ESD HBM (V)
PDC-2C3432-NIR-B	abanico	2 segmentos	6.9×3.2×0.3	-40 a +100	-40 a +100	20	1000

1: El tamaño del área fotosensible, el material de la ventana y el número de pin pueden personalizarse. Póngase en contacto con nosotros para obtener más información.

❖ Características eléctricas y ópticas

No. de tipo.	Rango de respuesta espectral λ (nm)	Longitud de onda de sensibilidad pico λ_p (nm)	Fotosensibilidad S (A/W) @ λ_p	Corriente oscura I_D (pA) V_R=10 mV		Coeficiente de temperatura de ID T_cID (tiempos/°C)	Coeficiente de temperatura T a 850nm_CIk (%/°C)	Capacitancia de unión C_j (pF) V_R=0V f=100kHz		Tiempo de subida t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Resistencia shunt R_sh (GΩ) V_R=10 mV
No. de tipo.	Rango de respuesta espectral λ (nm)	Longitud de onda de sensibilidad pico λ_p (nm)	Fotosensibilidad S (A/W) @ λ_p	Tipo.	Máx.	Coeficiente de temperatura de ID T_cID (tiempos/°C)	Coeficiente de temperatura T a 850nm_CIk (%/°C)	Tipo.	Máx.	Tiempo de subida t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Mín.	Tipo.
PDC-2C3432-NIR-B	340-1100	940	0.65	5	50	1.135	0.02	85	150	0.18	0.1	2