Fotodiodo PIN de Si de alta linealidad para sistemas de detección por rayos X y láser

Fotodiodo PIN de Si con baja corriente oscura (350-1060nm) PDCT34-101

Descubra un rendimiento excepcional con nuestro fotodiodo PIN de Si de alta linealidad, diseñado para la detección de rayos X y láser. Este fotodiodo combina una baja corriente oscura y una gran estabilidad en un robusto encapsulado TO. Confíe en nuestro fotodiodo PIN de Si para tareas de detección críticas.

Categories Fotodiodos PIN de Si, Baja corriente oscura (350-1060nm) Tags fotodiodo de alta linealidad, sistemas de detección láser, fotodiodo de bajo ruido, Fotodiodo PIN de Si, Paquete TO, Detección por rayos X Marca: Fotón abeja

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Fotodiodos PIN de Si para Galvo PDC-2C3432-NIR-B

Descripción del producto

Si PD con baja corriente oscura (350-1060nm)
Tipo No.	Sensibilidad máxima longitud de onda	Fotosensibilidad	Corriente oscura	Capacidad de unión	Tiempo de subida	Tamaño del área fotosensible	Material para ventanas	Paquete
	Sensibilidad máxima longitud de onda	Fotosensibilidad	V_R=10 mV	V_R=0 V	V_R=0V; R_L=1 kΩ	Tamaño del área fotosensible	Material para ventanas	Paquete
	[nm]	[A/W]	[pA]	[pF]	[μs]	[mm]
PDCT01-201	720	0,53@720nm	1	20	0.04	1.1×1.1	Borosilicato	TO18/2 pines
PDCT01-202			1	20	0.04	1.1×1.1	Lente esférica	TO18/2 pines
PDCT07-001			2.5	70	0.15	2.6×2.6	Borosilicato	TO5/2 pines
PDCT14-001			3.5	160	0.35	3.7×3.7	Borosilicato	TO5/2 pines
PDCT34-101			5	350	0.77	5.8×5.8	Borosilicato	TO8/2PIN
PDCD07-001	800	0,36@560nm 0,43@633nm 0,52@800nm	2.5	70	0.15	2.6×2.6	Resina	DIP
PDCD07-201			2.5	70	0.15	2.6×2.6	Resina	DIP
PDCD10-001			3.5	115	0.25	3.2×3.2	Resina	DIP
PDCD34-101			5	400	0.9	5.8×5.8	Resina	DIP
PDCD100-101			15	800	1.8	10×10	Resina	DIP
PDCC07-003			2.5	70	0.15	2.6×2.6	Resina	COB
PDCC07-101			2.5	80	0.18	Φ3.0	Resina	COB
PDCC14-001			3.5	160	0.35	3.7×3.7	Resina	COB
PDCC34-001			5	400	0.9	5.8×5.8	Resina	COB
PDCC100-001			15	800	1.8	10×10	Resina	COB