Si-PIN-Photodiode mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060nm) PDCC34-601

Erleben Sie unsere High Quantum Efficiency Photodiode für präzise UV-NIR-Detektion. Das COB-Design und die erhöhte UV-Empfindlichkeit (320-1060 nm) machen diese Si-PIN-Photodiode ideal für kompakte, leistungsstarke Anwendungen.
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Beschreibung des Produkts

Si PD mit erhöhter UV-Empfindlichkeit (320-1060 nm)
Typ No.Spitzenempfindlichkeit WellenlängeLichtempfindlichkeitDunkler StromÜbergangskapazitätAnstiegszeitGröße der lichtempfindlichen FlächeMaterial der FensterPaket
VR=10 mVVR=0 VVR=0 V; RL=1 kΩ
[nm][A/W][pA][pF][μs][mm]
PDCT01-8018000,16@365nm

0,47@800nm

2150.051,1 × 1,1BorosilikatTO18/2-Pin
PDCT07-6015600.132,6 × 2,6BorosilikatTO5/2-Pin
PDCT14-60181200.263,7×3,7BorosilikatTO5/2-Pin
PDCT16-601101500.334,0×4,0BorosilikatTO5/2-Pin
PDCT34-701153000.665,8×5,8BorosilikatTO8/2PIN
PDCD07-6010,14@365nm

0,54@800nm

5600.132,6 × 2,6HarzDIP
PDCD07-8015600.132,6 × 2,6HarzDIP
PDCD10-8018900.23,2×3,2HarzDIP
PDCD34-701153000.665,8×5,8HarzDIP
PDCD100-301258001.7610×10HarzDIP
PDCC07-6010,14@365nm

0,54@800nm

5600.132,6 × 2,6HarzCOB
PDCC14-601101200.263,7×3,7HarzCOB
PDCC34-601153000.665,8×5,8HarzCOB
PDCC100-701258001.7610×10HarzCOB

PDCC34-601-pic

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