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Fotodiodo PIN de Si
| No. de tipo. 1 | Ventana material | Fotosensible tamaño de la zona (mm) | Número de pin | Valores máximos absolutos | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tstg (°C) 2 | Topr (°C) 2 | Tsol (°C) | VR MÁX (V) | ESD HBM (V) | ||||
| PDCP08-501 | Resina epoxi (CR) | 2.9×2.9 | 2 clavijas | -40 a +100 | -40 a +100 | 260 (3 s) | 20 | 1000 |
| PDCP08-502 | 2,9×2,8 | |||||||
| PDCP08-511 | Resina epoxi (BK) | 2.9×2.9 | ||||||
| No. de tipo. | Espectral respuesta gama λ (nm) | Pico sensibilidad longitud de onda λp (nm) | Fotosensibilidad S (A/W) | Corriente oscura ID (pA) VR=10 mV | Temp. coeficiente de ID TcID (tiempos/°C) | Empalme capacitancia Cj (pF) VR=0 V f=100 kHz | Tiempo de subida tr (μs) VR=0 V RL=1 kΩ | Derivación resistencia Rsh (GΩ) VR=10 mV | NEP (W/Hz1/2) | Directividad φ (°) | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tipo. | Máx. | Tipo. | Máx. | Mín. | Tipo. | ||||||||
| PDCP08-501 | 450-1100 | 940 | 0,2 @520nm 0,7 @λp | 20 | 1000 | 1.13 | 70 | 120 | 0.15 | 0.01 | 0.5 | 1,5×10-14 | ±65 |
| PDCP08-502 | 340-1100 | 920 | 0,35 @520nm 0,6 @λp | 5 | 100 | 1.135 | 125 | 180 | 0.27 | 0.1 | 2 | 5,9×10-15 | ±65 |
| PDCP08-511 | 850-1100 | 940 | 0,55 @λp | 20 | 1000 | 1.13 | 70 | 120 | 0.15 | 0.01 | 0.5 | 2,1×10-14 | ±65 |
