Si-PIN-Photodioden-Array PDCA02-602

Die Bee Photon PDCA-Serie wurde speziell für den Einsatz in Hintergrundunterdrückung Photodiode zur Lösung komplexer Detektionsaufgaben in industriellen Umgebungen. Durch die Verwendung einer hochpräzisen Zwei-Segment-Architektur (PD A und PD B) ermöglicht dieses Gerät eine differenzielle Signalverarbeitung und filtert Hintergrundstörungen effektiv aus. Es ist die erste Wahl für Hersteller, die zuverlässige optische Schalter und Näherungssensoren mit Hintergrundausblendung entwickeln.
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Beschreibung des Produkts

PDCA-Reihe

Niedriger Dunkelstrom, hohe Empfindlichkeit, Si-PIN-Photodioden-Array

Eigenschaften

  • Breiter Spektralbereich (350 ~ 1060nm)
  • Hohe Empfindlichkeit, niedriger Dunkelstrom, niedrige Sperrschichtkapazität
  • Fit für bleifreies Reflow-Löten

Anmeldung

  • Optischer Schalter mit Hintergrundausblendung
  • Fotosensor

Struktur / Absolute Maximalwerte

Typ Nr. Paket Größe des Produkts
(mm)
Lichtempfindlich
Größe der Fläche (mm)
Absolute Höchstwerte ESD
HBM-Modus(V)
Lagertemperatur.
Tstg(°C)
Betriebstemp.
Topr(°C)
Löttemperatur.
Tsol(°C)
Rückwärtsgerichtete Spannung
VR MAX(V)
PDCA02-601 Kunststoff 5.4×4.1×1.1 PD A: 0,9×1,6
PD B: 0,9×1,6
-20 bis +80 -20 bis +80 260
(<5s)
20 1000
PDCA02-602 4.0×3.0x1.1 PD A: 0,9×1,6
PD B: 0,9×1,6
PDCA02-611A 6.4×2.4×1.1 PD A: 1,08×1,5
PD B: 1,08×4,1

Hinweis 1: Die Größe des lichtempfindlichen Bereichs, das Fenstermaterial und der Nummernstift können individuell angepasst werden.
Anmerkung 2: Keine Taubildung.

Elektrische und optische Eigenschaften

Typ Nr. Spektrale Antwort
λ (nm)
Peak-Wellenlänge
λp(nm)
Lichtempfindlichkeit
S(A/W)
Dunkler Strom
ID(pA)
VR=10mV
Temp. Koeffizient von ID
TcID
(Zeiten/°C)
Übergangskapazität
Cj(pF)
VR=0V, f=100kHz
Anstiegszeit
tr(μs)
VR=0V, RL=1kΩ
Shunt-Widerstand
Rsh(GΩ)
VR=10mV
NEP
(W/Hz1/2)
Typ. Max. Typ. Max. Min. Typ.
PDCA02-601 350~1060 800 0,45@650nm 1 10 1.125 20 30 0.04 1 10 2.5×10-15
PDCA02-602 1 10 20 30 0.04 1 10 2.5×10-15
PDCA02-611A PD A 1 10 20 30 0.04 1 10 2.5×10-15
PD B 3 30 55 80 0.12 0.3 3 4.5×10-15

Hintergrundunterdrückung Photodiode

Technische Exzellenz
Um eine stabile Leistung bei der Automatisierung zu gewährleisten, ist unser Hintergrundunterdrückung Photodiode verfügt über einen breiten Spektralbereich (350nm - 1060nm) mit einer Spitzenempfindlichkeit bei 800nm. Der Baustein weist ein niedriges Dunkelstromprofil auf, so dass die Signalerfassung auch bei schwankenden Lichtverhältnissen präzise bleibt. Sein robustes Kunststoffgehäuse ist mit bleifreiem Reflow-Löten kompatibel und lässt sich daher leicht in moderne SMT-Produktionslinien integrieren.

Verwendungsszenarien

  • Sensoren für die Produktionslinie: Erkennt Objekte auf Förderbändern, ignoriert aber die Bandoberfläche selbst.
  • Endschalter: Ermöglicht eine präzise Endstopp-Erkennung in der Robotik.
  • Annäherungsdetektion: Ideal für Messungen im Nahbereich, bei denen Hintergrundgeräusche ein kritischer Faktor sind.

BEEPHOTON TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD

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