PDC-2C3432-NIR-B fächerförmig segmentierter 2-Segment-PIN-Photodioden-Chip

Si-PIN-Photodioden für Galvo PDC-2C3432-NIR-B

Die PDC-2C3432-NIR-B ist ein spezialisiertes segmentierter PIN-Fotodioden-Chip entwickelt für präzise differentielle Positionsrückführung in Hochgeschwindigkeits-Galvanometerscannern. Die Integration dieses zweikanaligen segmentierter PIN-Fotodioden-Chip ermöglicht Systemen eine genaue Winkelverfolgung bei minimalem Signalrauschen.

Categories Si-PIN-Fotodioden, PD-Array Tags Differential-Photodiode, Zweisegment-Sensor, Fächerförmiger Chip, Galvo-Positionsdetektor, Segmentierte Photodiode Marke: Bienen-Photon

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Si-PIN-Photodioden für Galvo PDC-2C3432-NIR-B

Beschreibung des Produkts

BEE PHOTON^®

PDC-2C3432-NIR-B

Si PIN-Fotodiodenchip

Die PDC-2C3432-NIR-B ist ein spezialisiertes Segmentierter PIN-Photodioden-Chip Entwickelt für eine präzise differentielle Positionsrückmeldung in High-End-Galvanometer-Scannern. Mit seinem fächerförmigen aktiven Bereich aus 2 Segmenten bietet er eine exzellente Signalausrichtung, niedrigen Dunkelstrom und robuste Störfestigkeit.

❖ Eigenschaften

◆ Hohe Empfindlichkeit
◆ Extrem niedriger Dunkelstrom
◆ Geringe Temperaturdrift

❖ Anmeldung

◆ Galvanometer-Positionsdetektor

❖ Struktur/ Absolute Höchstwerte

Typ Nr. ¹	Form der lichtempfindlichen Fläche	Größe der lichtempfindlichen Fläche (mm)	Chipgröße (mm)	Absolute Höchstwerte
Typ Nr. ¹	Form der lichtempfindlichen Fläche	Größe der lichtempfindlichen Fläche (mm)	Chipgröße (mm)	T_stg (°C)	T_opr (°C)	V_{R MAX} (V)	ESD HBM-Modus (V)
PDC-2C3432-NIR-B	Fächer	2 Segmente	6,9 × 3,2 × 0,3	-40 bis +100	-40 bis +100	20	1000

1: Die Größe der lichtempfindlichen Fläche, das Fenstermaterial und der Nummernstift können individuell angepasst werden. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

❖ Elektrische und optische Eigenschaften

Typ Nr.	Spektraler Empfindlichkeitsbereich λ (nm)	Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit λ_p (nm)	Fotoempfindlichkeit S (A/W) @ λ_p	Dunkelstrom I_D (pA) V_R=10 mV		Temp.-Koeffizient von ID T_cID (Zeiten/°C)	Bei 850nm Temp.-Koeffizient T_CIk (1%/°C)	Sperrschichtkapazität C_j (pF) V_R=0V f=100kHz		Anstiegszeit t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Parallelwiderstand R_sh (GΩ) V_R=10 mV
Typ Nr.	Spektraler Empfindlichkeitsbereich λ (nm)	Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit λ_p (nm)	Fotoempfindlichkeit S (A/W) @ λ_p	Typ.	Max.	Temp.-Koeffizient von ID T_cID (Zeiten/°C)	Bei 850nm Temp.-Koeffizient T_CIk (1%/°C)	Typ.	Max.	Anstiegszeit t_r (μs) V_R=0V R_L=1 kΩ	Min.	Typ.
PDC-2C3432-NIR-B	340-1100	940	0.65	5	50	1.135	0.02	85	150	0.18	0.1	2